天成半导体于2022年10月重磅推出878.6nm 180W高功率泵浦源激光器。公司拥有十多年的光纤耦合半导体激光器生产经验，是国内较早从事泵浦源研发生产的厂家之一。天成凭借808nm泵浦源产品获得了众多固体激光器厂家的认可，加速推动了808nm泵浦源国产化进程。锁波长878.6nm泵浦源产品，天成半导体同样走在行业前列，凭借丰富的976nm锁波长技术经验，公司从2018年初开始研发生产878.6nm锁波长激光器，并相继推出30W、40W、70W、120W多种规格激光器，其“芯片”+“光纤耦合”工艺均经过公司严格的长期可靠性验证。
天成为了满足市场发展和客户的需求，于2022年10月新推出878.6nm 180W泵浦源激光器，具有以下特点：
1. 工艺成熟：功率余量大，产品可靠性高；转换效率高，寿命长；
2. 波长锁定电流范围宽：2A开始波长锁定；
3. 波长锁定温度范围宽：20~40°C均可实现波长锁定；
4. 产品规格多样化，芯径200μm/400μm可选，并可提供定制服务。
878.6nm 180W PIV光电特性曲线
878.6nm 180W光谱曲线
固体激光器具有诸多优点：峰值功率高；光束质量好；波长范围宽，从紫外波段到中红外波段。固体激光器可对不同材料实现打标、切割、打孔、焊接等应用。市场对固体激光器需求的功率越来越高，技术难度也越来越高。工程师们在泵浦源、激光晶体、腔形设计、散热方式等方面不断优化，以提升高功率固体激光器的稳定性与可靠性。
工业加工应用的固体激光器常用的激光晶体是Nd:YVO4和Nd:YAG。Nd:YVO4晶体是当前工业高功率固体激光器的首选晶体。Nd:YVO4晶体在878.6nm波段具有很强且较窄吸收峰，当采用878.6nm泵浦源产生1064nm激射波长时，相比使用808nm泵源，其量子亏损降低33%，可以大大降低热效应，十分有利于高功率工作。同时，878.6nm泵浦源采用外腔锁波长技术，光谱宽度小于1nm，波长-温度漂移系数仅为0.02nm/°C，使得泵浦激发更稳定。
相比之前的产品，新品878.6nm 180W大功率泵浦源模块使用更高输出功率的单管芯片获得更高的泵浦功率输出，适用于更大功率的皮秒固体激光器。此产品经过公司内部数千小时的严格验证，各项性能优势明显，稳定可靠。
天成半导体的878.6nm泵浦源，目前已向国内多家客户批量供货，以优异的性价比，快速推进着878.6nm泵浦源国产化的进程。新的878.6nm 180W泵浦源也将全面上市，助力高功率、高稳定性固体激光器的发展！
